TSM2314CX RFG
Número de Producto del Fabricante:

TSM2314CX RFG

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM2314CX RFG-DG

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 4.9A (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventario:

33768 Pcs Nuevos Originales En Stock
12899013
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TSM2314CX RFG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 4.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
TSM2314

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
TSM2314CX RFG

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TSM2314CX RFGTR
TSM2314CXRFGDKR-DG
1801-TSM2314CXRFGCT
TSM2314CX RFGTR-DG
TSM2314CX RFGCT-DG
TSM2314CXRFGTR
1801-TSM2314CXRFGTR
TSM2314CX RFGDKR-DG
TSM2314CXRFGTR-DG
TSM2314CX RFGDKR
TSM2314CX RFGCT
TSM2314CXRFGDKR
1801-TSM2314CXRFGDKR
TSM2314CXRFGCT
TSM2314CXRFGCT-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
SQ2310ES-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1430
NÚMERO DE PIEZA
SQ2310ES-T1_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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